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現代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰。汽車功率模塊測試標準AQG 324特別突出了功率循環試驗，在整個SiC-MOSFET壽命試驗相關內容中，功率循環試驗不僅被列為首項， 且占據的篇幅超過其他所有試驗項目之和

金凱博功率半導體高精度靜態特性測試系統KC-3110，基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規級模塊的新興要求而進行的一次高標準產品開發。本系統可以在3KV和1000/2000A的條件下實現精確測量和參數分析，漏電流測試分辨率高達fA級，電壓測試分阱率最高可這nV級，以及3000V高壓下的寄生電容的精密測量。全自動程控軟件，圖型化上位機操作界面。內置開關切換矩陣保證測試效率。模塊化結構設計預留升級擴展潛能。測試接口可外掛各類夾具和適配器，還能夠通過專用接口連接各種Handler：如分選機、機械手、探針臺、編帶機等。

設備簡介KC3120功率半導體動態參數測試系統可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動態參數測試，如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化率、反向恢復電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉移電容、短路。通過更換不同的測試單元以達到對應測試內容，通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項目及配置測試參數、 讀取保存測試結果。

設備簡介KC3111功率半導體高精度靜態特性測試系統（面向工廠生產端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規級模塊的新興要求而進行的一次高標準產品開發。脈沖信號源輸出方面，高壓源標配2000V（選配3.5KV）,高流源標配1KA（選配4KA多模塊并聯）,柵極電壓30V。采用多量程設計架構，各量程下均可保證0.1%精度，具有uΩ級精確測量，pA 級漏電流測量能力。全自動程控軟件，圖型化上位機操作界面。內置開關切換矩陣保證測試效率。模塊化結構設計預留升級擴展潛能。測試接口可外掛各類夾具和適配器，還能夠通過專用接口連接各種Handler：如分選機、機械手、探針臺、編帶機等。

KC-3105 測試系統中可同時完成HTRB和DHTRB測試，整體架構模塊化，通訊協議、通訊接口等采用統一標準，便于后期擴展和維護。該系統集成度高、應用覆蓋面廣，系統采用軟、硬件一體化設計且功能豐富，在保證系統穩定運行的同時，可以快速滿足功率半導體可靠性測試需求。